Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD6N02R2G
MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SOIC
NTMD6N02R2G Hakkında
NTMD6N02R2G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 3.92A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. Logic level gate özelliği ile düşük voltaj lojik devrelerden doğrudan kontrol edilebilir. 35mOhm'luk düşük on-direnci sayesinde güç kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç yönetimi ve genel amaçlı anahtarlama işlemleri için kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.92A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 730mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok