Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTMD6N02R2

MOSFET 2N-CH 20V 3.92A 8SO

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMD6N02R2

NTMD6N02R2 Hakkında

NTMD6N02R2, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. Logic Level Gate özelliğine sahip bu bileşen, 20V Drain-Source voltajında 3.92A sürekli drenaj akımı sağlar. 35mOhm (4.5V, 6A) on-resistance değeri ile düşük güç kaybı sunar. 8-SOIC yüzey montajlı paket yapısında bulunan bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 1.2V gate threshold voltajı ile hızlı komütasyon işlemleri gerçekleştirir. Güç amplifikasyon uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü tasarımlarında kullanılır. Düşük kapasite değerleri (1100pF @ 16V) ile yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.92A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 16V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power - Max 730mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 6A, 4.5V
Supplier Device Package 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok