Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD6601NR2G
MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
NTMD6601NR2G Hakkında
NTMD6601NR2G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 1.1A sürekli dren akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate uyumlu tasarımıyla düşük voltaj sürücü devrelerinde kullanılmaya uygundur. 215mOhm on-resistance ile etkili güç yönetimi sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir. Anahtarlama uygulamaları, güç denetimi ve yazılım kontrollü devreler için tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında uygun performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 600mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok