Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD4N03R2G
MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOIC
NTMD4N03R2G Hakkında
NTMD4N03R2G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 4A sürekli akım kapasitesine sahip olan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğiyle düşük giriş voltajında çalışmaya uygun tasarlanmıştır. 60mΩ RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan NTMD4N03R2G, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi geniş bir uygulama alanına sahiptir. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok