Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD4N03R2
MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NTMD4N03R2
NTMD4N03R2 Hakkında
NTMD4N03R2, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 4A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate özelliğine sahiptir. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük dirençli anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan NTMD4N03R2, PWM kontrol, motor sürücü devreleri, güç yönetimi ve gerilim regülatör uygulamalarında kullanılır. 3V gate threshold voltajı hızlı anahtarlama sağlar. Maksimum 2W güç dağıtım kapasitesi ile batarya yönetimi ve LED sürücü devrelerinde yer bulur. Obsolete durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 20V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok