Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD4820NR2G
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SOIC
NTMD4820NR2G Hakkında
NTMD4820NR2G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 4.9A sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük gerilim kontrol devrelerine entegre edilebilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 20mOhm (10V, 7.5A) on-state direnç değeri ile anahtarlama uygulamalarında verimliliği sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Motor kontrolleri, DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 940pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 750mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 7.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok