Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD3N08LR2
MOSFET PWR N-CHAN DUAL 80V 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Seri / Aile Numarası
- NTMD3N08LR
NTMD3N08LR2 Hakkında
NTMD3N08LR2, Rochester Electronics tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli dren akımı ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip bu bileşen, 215mOhm on-state direnç (RDS on) değeri ile anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 3.1W maksimum güç yeteneği ile güç kaynakları, motor kontrol devresi, DC-DC konvertörler ve elektrik yönetim sistemlerinde yer alır. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir. Düşük gate charge (15nC) ve input capacitance (480pF) değerleri hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 480pF @ 25V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 3.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 215mOhm @ 2.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok