Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTMD2C02R2G
MOSFET N/P-CH 20V 8SOIC
NTMD2C02R2G Hakkında
NTMD2C02R2G, onsemi tarafından üretilen N-kanal ve P-kanal MOSFET'lerin entegre edildiği bir dizi transistördür. 20V Drain-Source voltaj derecesine sahip bu bileşen, Logic Level Gate özelliği ile düşük voltaj kontrol devrelerine uyumludur. 5.2A ve 3.4A sürekli dren akım kapasitesine sahip transistörler, güç anahtarlama ve sinyal kontrol uygulamalarında kullanılır. 43mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C arasında çalışan uygulamalarda, motor kontrolü, LED sürücüleri, güç yönetimi ve analog sinyal işleme devreleri gibi alanlarda tercih edilir. Part Status: Obsolete
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.2A, 3.4A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 2W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 43mOhm @ 4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok