Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTMC083NP10M5L

NTMC083NP10M5L

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
NTMC083NP10M5L

NTMC083NP10M5L Hakkında

NTMC083NP10M5L, onsemi tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizisi transistörüdür. 100V Drain to Source gerilim (Vdss) desteği ile tasarlanmıştır. Maksimum 2.9A (Ta) / 4.1A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge (5nC-8.4nC @ 10V) ve input capacitance değerleri (222pF-525pF @ 50V) hızlı anahtarlama özelliği sağlar. On-resistance değeri 83-131mOhm @ 1.5A, 10V olup güç kayıplarını minimize eder. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi ve AC/DC güç kaynakları gibi alanlarda kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A (Ta), 4.1A (Tc), 2.4A (Ta), 3.3A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
FET Feature Standard
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V, 8.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 222pF @ 50V, 525pF @ 50V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power - Max 1.6W (Ta), 3.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 83mOhm @ 1.5A, 10V, 131mOhm @ 1.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok