Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTLTD7900ZR2G
MOSFET 2N-CH 20V 6A 8MICRO
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-VDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NTLTD7900ZR
NTLTD7900ZR2G Hakkında
NTLTD7900ZR2G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 6A sürekli drain akımı kapasitesiyle çalışan bu bileşen, logic level gate kontrolü özelliğine sahiptir. 26mOhm RDS(on) değeri ile düşük geçiş direncine ve 1V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. 8-VDFN (3x3mm) yüzey montaj paketinde sunulan bu MOSFET, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, LED sürücüler ve anahtarlama güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmaya uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işletme sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 15pF @ 16V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-VDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.5W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-DFN (3x3), (MICRO8 LEADLESS) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok