Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTLJD4116NT1G

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-WDFN Exposed Pad
Seri / Aile Numarası
NTLJD4116NT

NTLJD4116NT1G Hakkında

NTLJD4116NT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilim (Vdss) ve 2.5A sürekli dren akımı (Id) ile tasarlanmıştır. Logic Level Gate özelliğine sahip olup, 4.5V gerilimde 70mOhm açık kanal direnci (Rds On) sunar. 6-WDFN (2x2mm) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir ve 710mW maksimum güç dağıtabilir. Anahtarlama devreleri, motor kontrolü, güç yönetimi ve genel sinyal anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 427pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-WDFN Exposed Pad
Part Status Active
Power - Max 710mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
Supplier Device Package 6-WDFN (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok