Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTLJD3119CTAG
MOSFET N/P-CH 20V 6WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NTLJD3119
NTLJD3119CTAG Hakkında
NTLJD3119CTAG, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET transistör olup N-channel ve P-channel FET'leri aynı pakette sunar. 20V Drain-Source voltaj derecesiyle çalışan bu bileşen, Logic Level Gate özelliğine sahiptir ve 6-WDFN (2x2mm) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 2.6A ve 2.3A drain akımı kapasitesine sahip olan transistör, 65mOhm maksimum RDS(on) değeriyle düşük dirençli iletim özellikleri gösterir. 3.7nC gate charge ve 271pF input capacitance değerleriyle hızlı komütasyon uygulamalarına uygun hale getirilmiştir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve diğer analog/dijital kontrol uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A, 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.7nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 271pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 710mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok