Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTLJD3115PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 6-WDFN Exposed Pad
- Seri / Aile Numarası
- NTLJD3115
NTLJD3115PT1G Hakkında
NTLJD3115PT1G, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistöridir. 20V (Vdss) drain-source gerilimi ve 2.3A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, 6-WDFN kılıflı yüzey montajlı pakette sunulmaktadır. Logic Level Gate özelliğine sahip olan transistör, 4.5V gate geriliminde 100mOhm (Rds On) ile düşük on-dirençli çalışma performansı gösterir. Gate yükü 6.2nC ve input kapasitansı 531pF olarak belirlenmiştir. -55°C ile 150°C arasında çalışan ve 710mW maksimum güç dağıtabilen bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve düşük voltajlı anahtarlama devrelerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 531pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-WDFN Exposed Pad |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 710mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-WDFN (2x2) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok