Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTJD5121NT1G

MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
NTJD5121NT1G

NTJD5121NT1G Hakkında

NTJD5121NT1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj ve 295mA sürekli drain akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. Logic level gate özelliğine sahip olup, 1.6Ω (10V, 500mA'da) düşük RDS(on) değeri ile verimliliği artırır. 0.9nC gate charge ve 26pF input capacitance değerleri ile hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, 250mW maksimum güç dağıtımına sahiptir. 6-pin SOT-363 (SC-88) yüzey montajı paketinde sunulan NTJD5121NT1G, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 295mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.9nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 26pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 250mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok