Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTJD4105CT4G

MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
6-TSSOP
Seri / Aile Numarası
NTJD4105

NTJD4105CT4G Hakkında

NTJD4105CT4G, onsemi tarafından üretilen tamamlayıcı N ve P-Channel MOSFET çiftini içeren entegre devredir. 20V (N-Channel) ve 8V (P-Channel) drain-source gerilimi değerleri ile çeşitli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Logic level gate özelliği sayesinde düşük kontrol gerilimi ile çalışabilir. 630mA (N-Channel) ve 775mA (P-Channel) sürekli dren akımı kapasitesi ile küçük-orta güç uygulamalarında tercih edilir. Düşük gate charge (3nC) ve düşük RDS(on) (375mΩ) özellikleri ile enerji verimliliği sağlar. 6-TSSOP/SOT-363 yüzey montajlı paket biçimi kompakt tasarımları destekler. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında endüstriyel ve tüketici uygulamalarında kullanılmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 630mA, 775mA
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V, 8V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46pF @ 20V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Obsolete
Power - Max 270mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 375mOhm @ 630mA, 4.5V
Supplier Device Package SC-88/SC70-6/SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok