Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTJD1155LT1G
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT363
NTJD1155LT1G Hakkında
NTJD1155LT1G, onsemi tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistörüdür. 8V Drain-Source voltaj desteği ve 1.3A maksimum drain akımı ile çalışır. 175mOhm (4.5V, 1.2A'de) on-state direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. 400mW maksimum güç dağıtımı ve -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığı bulunmaktadır. 6-pin SOT-363 (SC-88) paketinde sunulan bu bileşen, düşük sinyal seviyeleri gerektiren uygulamalarda, anahtarlama devreleri, sürücü aplikasyonları ve genel amaçlı dijital lojik uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 400mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok