Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTJD1155LT1
MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363
NTJD1155LT1 Hakkında
NTJD1155LT1, onsemi tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistördür. 6-pin SOT-363 (SC-88) paket içerisinde sunulan bu komponent, maksimum 8V drain-source voltajında 1.3A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 175mOhm (1.2A, 4.5V) On-resistance değeri ile düşük güç kaybı sağlayan bu transistör, 400mW maksimum güç dağılımı ile tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen NTJD1155LT1, düşük voltaj anahtarlama uygulamalarında, power management devreleri, LED kontrol, batarya yönetimi ve genel amaçlı lojik seviyeleme işlemlerinde kullanılır. Complementary N/P-channel yapısı sayesinde push-pull çıkış tasarımlarında tercih edilir. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | N and P-Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 175mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok