Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTHD3102CT1G
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.1A 1206A
NTHD3102CT1G Hakkında
NTHD3102CT1G, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET (N-channel ve P-channel) dizisidir. 20V drain-source voltaj derecesi ile 4A (N-channel) ve 3.1A (P-channel) sürekli drenaj akımına sahiptir. Logic level gate özelliği sayesinde düşük voltaj kontrol sinyalleriyle çalışabilir. 45mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 8-SMD flat lead paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve sinyal anahtarlama gibi alanlarda kullanılır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çalışarak geniş uygulama yelpazesini destekler. ChipFET™ teknolojisiyle kompakt tasarım ve verimli performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A, 3.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.9nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok