Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTHD3100CT3

MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHD3100CT

NTHD3100CT3 Hakkında

NTHD3100CT3, onsemi tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET dizi entegresiyonu sunan bir logic level gate transistöre olup, 20V drain-source gerilim desteği ile çalışır. Surface mount 8-SMD paket içerisinde sunulan bu bileşen, 2.9A ve 3.2A sürekli drain akım kapasitesine sahiptir. 80mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. Logic level gate özelliği, düşük kontrolcu gerilim kaynaklarıyla doğrudan sürülmesine olanak tanır. ChipFET™ paket tasarımı ile kompakt devre tasarımlarında yer kazanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.9A, 3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 165pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80mOhm @ 2.9A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok