Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTHD3100CT1G
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTHD3100CT1G Hakkında
NTHD3100CT1G, onsemi tarafından üretilen tümleşik N-Channel ve P-Channel MOSFET dizisidir. Logic Level Gate özelliği ile 4.5V kapı gerilimi ile çalışabilen bu bileşen, 20V drain-source gerilim sınırlamasına sahiptir. 2.9A-3.2A sürekli drenaj akımı kapasitesi, 80mOhm RDS(on) değeri ve düşük gate charge (2.3nC) özellikleriyle güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları ve logic seviyesi kontrolü gerektiren devreler için uygun bir çözümdür. ChipFET paket teknolojisinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve 1.1W maksimum güç dissipasyonuna kadar dayanıklıdır. Surface mount 8-SMD flat lead konfigürasyonu yoğun PCB tasarımlarına olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A, 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok