Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTHD3100CT1
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTHD3100CT1 Hakkında
NTHD3100CT1, onsemi tarafından üretilen N ve P-Channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain-Source gerilim derecesine sahip bu Logic Level Gate transistör, Surface Mount paketleme ile sunulmaktadır. 2.9A ve 3.2A sürekli drain akımı kapasitesi bulunan bileşen, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir. 80mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. Gate Charge değeri 2.3nC ve Input Capacitance 165pF'dir. Anahtarlama uygulamaları, sürücü devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılan bu CHIPFET bileşen, kompakt 8-SMD paket tasarımı ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun şekilde tasarlanmıştır. Maksimum 1.1W güç dağıtımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A, 3.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 165pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok