Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTHD2102PT1G

MOSFET 2P-CH 8V 3.4A CHIPFET

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-SMD
Seri / Aile Numarası
NTHD2102

NTHD2102PT1G Hakkında

NTHD2102PT1G, onsemi tarafından üretilen dual P-Channel MOSFET transistörüdür. 8V drain-source voltaj ve 3.4A sürekli dren akımı ile tasarlanan bu bileşen, logic level gate kontrolüne sahiptir. 58mOhm on-resistance ve 16nC gate charge özellikleri ile düşük geçiş kayıpları sağlar. Surface mount 8-SMD flat lead paketinde sunulan NTHD2102PT1G, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve kontrol sistemlerinde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında işletme sıcaklığına sahip olup, ChipFET™ teknolojisi ile kompakt çözümler sunar. Maksimum 1.1W güç tüketimi ile batarya ve düşük güç uygulamalarına uygun bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 2.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 715pF @ 6.4V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 8-SMD, Flat Lead
Part Status Obsolete
Power - Max 1.1W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 58mOhm @ 3.4A, 4.5V
Supplier Device Package ChipFET™
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok