Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTHC5513T1G
MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
NTHC5513T1G Hakkında
NTHC5513T1G, onsemi tarafından üretilen dual N-channel ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 20V Drain to Source voltaj desteği ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bir komponenttir. Logic Level Gate özelliği sayesinde düşük voltaj sinyal kontrol sistemleriyle direkt çalışabilir. 1.1W maksimum güç dağılımı ve 80mOhm RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve sinyal kontrol sistemlerinde tercih edilir. Surface mount ChipFET™ paketlemesi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına entegre edilebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A, 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 10V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | ChipFET™ |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok