Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTGD4167CT1G
MOSFET N/P-CH 30V 2.6/1.9A 6TSOP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-23-6 Thin
- Seri / Aile Numarası
- NTGD4167
NTGD4167CT1G Hakkında
NTGD4167CT1G, onsemi tarafından üretilen dual N ve P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source gerilim ile tasarlanan bu bileşen, logic level gate kontrolü sayesinde düşük gerilim kontrol devrelerine direkt bağlanabilir. N-channel kanalı 2.6A, P-channel kanalı 1.9A sürekli drenaj akımını destekler. 90mOhm on-resistance değeri ile güç tüketimini minimize eder. Yüksek entegrasyon yoğunluğu ve kompakt SOT-23-6 paket tasarımı, sınırlı PCB alanına sahip uygulamalarda tercih edilir. Motor kontrol devreleri, güç yönetimi, analog anahtarlama ve sinyal geçiş uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında stabildir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.6A, 1.9A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | N and P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 295pF @ 15V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 900mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.6A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 6-TSOP |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok