Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTGD4161PT1G

MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
NTGD4161PT

NTGD4161PT1G Hakkında

NTGD4161PT1G, onsemi tarafından üretilen dual P-channel MOSFET transistör dizisidir. 30V drain-source voltaj derecesi ve 1.5A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, logic level gate kontrolü özelliğine sahiptir. 160mΩ maksimum on-resistance değeriyle düşük enerji kaybı sağlar. Surface mount SOT-23-6 paketinde sunulan NTGD4161PT1G, -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 600mW maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve genel amaçlı logic kontrol uygulamalarında kullanılır. Gate charge 7.1nC ve input capacitance 281pF özellikleriyle hızlı ve verimli komütasyon sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type 2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 281pF @ 15V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 600mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2.1A, 10V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok