Transistörler - FET, MOSFET - Diziler

NTGD3149CT1G

MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-23-6 Thin
Seri / Aile Numarası
NTGD3149

NTGD3149CT1G Hakkında

NTGD3149CT1G, onsemi tarafından üretilen dual MOSFET transistör çiftidir. N-channel ve P-channel MOSFETleri tek pakette içeren bu bileşen, 20V drain-source voltaj ile çalışır ve logic level gate kontrolü destekler. 3.2A N-channel ve 2.4A P-channel drain akımı kapasitesine sahiptir. 60mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. SOT-23-6 (6-TSOP) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile +150°C arasında çalışır. Switching uygulamalar, motor kontrol devreleri, güç yönetimi, push-pull yapılandırmalar ve hızlı anahtarlama gerektiren analog ve dijital devreler için kullanılır. 5.5nC gate charge ve 387pF input capacitance özellikleri hızlı komütasyonu destekler. 900mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.2A, 2.4A
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 387pF @ 10V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status Obsolete
Power - Max 900mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3.5A, 4.5V
Supplier Device Package 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok