Transistörler - Bipolar (BJT) - Diziler

NTE912

IC-3 ISOLATED TRANS. 14-LEAD

Paket/Kılıf
14-PDIP
Seri / Aile Numarası
NTE912

NTE912 Hakkında

NTE912, NTE Electronics tarafından üretilen 14 bacaklı PDIP paketinde sunulan izole transistör dizisi entegre devresini içerir. IC içerisinde 5 adet NPN bipolar junction transistör (BJT) bulunmaktadır. Her transistör maksimum 50mA collector akımı, 24V Vce breakdown voltajı ve 550MHz transition frequency değerleriyle çalışabilir. DC current gain (hFE) minimum 40 (1mA, 3V koşullarında) ve Vce saturation voltajı maksimum 230mV'tur. 750mW maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bileşen, -55°C ile 125°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Düşük collector cutoff akımı (500nA) sayesinde kapalı durumdaki enerji tasarrufu sağlar. Sinyal işleme, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 3V
Frequency - Transition 550MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TA)
Part Status Active
Power - Max 750mW
Supplier Device Package 14-PDIP
Transistor Type 5 NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 230mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 24V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok