NTE81

NTE81, NTE Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. TO-99 metal kap paketinde sunulan bu transistör, maksimum 500 mA kolektör akımı ve 30V çalışma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 250 MHz transition frequency ile analog ve RF devre tasarımlarında sinyal amplifikasyonu, anahtarlama ve osilatör devreleri gibi uygulamalara uygun özelliklere sahiptir. -65°C ile +200°C arasında geniş sıcaklık aralığında çalışabilir ve 625 mW maksimum güç yayabilen bu bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı elektronik tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.