Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NTE55
RF TRANS PNP 150V 30MHZ TO220
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-220-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NTE55
NTE55 Hakkında
NTE55, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistörlüdür (BJT) ve RF uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 150V collector-emitter breakdown gerilimi ve 30MHz transition frequency ile orta frekanslı RF devrelerinde kullanılır. Maksimum 8A collector akımı, 2W güç dissipasyonu ve -65°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığı ile güvenilir performans sağlar. Through hole montaj tipi sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarında kolayca entegre edilebilir. Radyo frekans amplifikatörleri, osilatörler ve switching devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 2A, 2V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 2W |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Transistor Type | PNP |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 150V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok