Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE342

T-NPN RF PO 7W TYP TO-220 TYPE

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NTE342

NTE342 Hakkında

NTE342, NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paket tipinde sunulmaktadır. RF (radyofrekans) uygulamaları için tasarlanmış bu bileşen, maksimum 2A kolektör akımı ve 1.5W güç yeteneğine sahiptir. 150°C işletme sıcaklığı ve 17V kolektör-emitör çökertme gerilimi ile orta güçlü RF amplifikatörü, anahtarlama ve frekans çoğaltıcı devrelerde kullanılır. DC akım kazancı 100mA, 10V şartlarında 10 (minimum) olarak belirlenmiştir. Through Hole montaj tipi sayesinde konvansiyonel PCB tasarımlarına uyumludur. İletişim, endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 500µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 100mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 1.5 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 17 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok