Transistörler - IGBT - Tekil
NTE3323
IGBT-1200V 25AMP
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTE3323
NTE3323 Hakkında
NTE3323, 1200V Collector-Emitter Breakdown voltajına sahip bir tekil IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 25A DC kollektör akımı ve 50A maksimum pulsed akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 200W maksimum güç dağıtma kapasitesine ve 4V maksimum Vce(on) voltajına sahiptir. 400ns turn-on ve 800ns turn-off gecikmesi ile hızlı anahtarlama karakteristiği sağlar. 150°C (Tj) maksimum işletme sıcaklığında güvenilir çalışır. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç dönüştürme, motor sürücüleri, kaynak makineleri ve elektrik şebekeleri uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 25 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 W |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Td (on/off) @ 25°C | 400ns/800ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 25A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok