Transistörler - IGBT - Tekil
NTE3310
IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-3P-3
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTE3310
NTE3310 Hakkında
NTE3310, N-channel enhancement tipi IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. 415A maksimum collector akımı ve 600V collector-emitter breakdown voltajı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 100W maksimum güç kapasitesine sahip olan bu bileşen, şalter modülasyonu, motor kontrolü, güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. TO-3P-3 (SC-65-3) paketinde sunulan NTE3310, 150°C işletme sıcaklığına kadar dayanıklıdır. 400ns açılış ve 500ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 415 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 30 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 100 W |
| Supplier Device Package | TO-3P |
| Td (on/off) @ 25°C | 400ns/500ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4V @ 15V, 15A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok