Transistörler - IGBT - Tekil
NTE3300
IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Kategori
- Transistörler - IGBT - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NTE3300
NTE3300 Hakkında
NTE3300, N-Channel Enhancement Mode IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 400V Collector-Emitter breakdown voltajı ve 10A sürekli collector akımı kapasitesi ile güç dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, enerji kaynakları ve kaynak makinaları gibi endüstriyel uygulamalarda yer alır. 30W maksimum güç derecelendirmesi, 150°C maksimum junction sıcaklığı ve 150ns/450ns turn-on/turn-off gecikme süreleri ile cihazın dinamik performansını belirler. Standard giriş tipi özellikleri ile entegrasyonu basit olan bu transistör, 20V gate voltajında 130A pulse collector akımı sağlayabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 130 A |
| Input Type | Standard |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 30 W |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Td (on/off) @ 25°C | 150ns/450ns |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 8V @ 20V, 130A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok