Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NTE313
RF TRANS NPN 30V 530MHZ 3SMD
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NTE313
NTE313 Hakkında
NTE313, NTE Electronics tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar junction transistörüdür. 530MHz transition frequency ile RF (radyo frekansı) uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 20mA maksimum collector akımı ve 30V collector-emitter breakdown voltajı ile radyo, haberleşme ve kablosuz iletişim devrelerinde sinyal amplifikasyonu sağlar. 3-SMD flat lead paket türünde yüzey montajı için uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 150mW güç tüketimi kapasitesine sahiptir. 23dB kazanç ve 2.5dB noise figure değerleriyle düşük gürültülü RF amplifikatör uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 2mA, 10V |
| Frequency - Transition | 530MHz |
| Gain | 23dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 2.5dB @ 200MHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150mW |
| Supplier Device Package | 3-SMD |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok