Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE306

TRANS NPN 50V 1.5A TO202

Paket/Kılıf
TO-202 Long Tab
Seri / Aile Numarası
NTE306

NTE306 Hakkında

NTE306, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-202 long tab paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 950mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ve 98 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sağlanan bu transistör, genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, kontrol sistemleri ve sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -50°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahip olan NTE306, endüstriyel ve tüketici elektroniği ürünlerinde tercih edilen bir komponenttir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 200nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 98 @ 100mA, 2V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-202 Long Tab
Part Status Active
Power - Max 950 mW
Supplier Device Package TO-202
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok