Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NTE299
RF TRANS NPN 35V TO202
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-202 Long Tab
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NTE299
NTE299 Hakkında
NTE299, NTE Electronics tarafından üretilen RF uygulamaları için tasarlanmış bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-202 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 35V collector-emitter geriliminde 1A akıma kadar işletilmesi mümkündür. 4W maksimum güç dağıtım yeteneği ile radyo frekans amplifikatörleri, osilatörler ve switching uygulamalarında kullanılabilir. Soğuk kaynaklar için -55°C'den sıcak kaynaklar için 125°C'ye kadar geniş işletme sıcaklığı aralığı sunmaktadır. Through-hole montaj türü, geleneksel PCB tasarımlarında kolay entegrasyonu sağlamaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 10 @ 100mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-202 Long Tab |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 4W |
| Supplier Device Package | TO-202 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 35V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok