Transistörler - FET, MOSFET - Diziler
NTE2960
MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-220-3 Full Pack
- Seri / Aile Numarası
- NTE2960
NTE2960 Hakkında
NTE2960, NTE Electronics tarafından üretilen N-Channel Enhancement Mode MOSFET transistördür. 900V drain-source voltajı ve 7A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-220-3 through hole paketinde sunulur. 2Ω RDS(On) değeri ile anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüleri, sürücü devreler ve elektromanyetik röle kontrol uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Maksimum 40W güç dağıtımı özelliğine sahiptir. 1380pF giriş kapasitesi ve 4V gate-source eşik voltajı ile hassas kontrol sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | 2 N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1380pF @ 25V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 40W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 3A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-220 Full Pack |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok