Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NTE287H
T-NPN SI HI VLTG
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- NTE287H
NTE287H Hakkında
NTE287H, NTE Electronics tarafından üretilen NPN silisyum bipolar transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu transistör, yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmıştır. 350V kolektör-emitter kırılma voltajı ile güç kaynakları, anahtarlama devreleri ve yüksek voltaj amplifikatör uygulamalarında kullanılabilir. 500mA maksimum kolektör akımı, 625mW maksimum güç dağıtımı ve 200MHz transition frekansı ile orta hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 30 @ 30mA, 10V şartlarında 30 minimum akım kazancı sağlar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 30mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok