Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE2699

T-NPN SIL 100V 15A TO220F

Paket/Kılıf
TO-220-3
Seri / Aile Numarası
NTE2699

NTE2699 Hakkında

NTE2699, NTE Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 15A maksimum collector akımı, 100V breakdown voltajı ve 150°C maksimum operating temperature ile tasarlanmıştır. 2W maksimum güç disipasyonu kapasitesine sahip olan bu transistör, Vce doyum voltajı 500mV @ 12A seviyesinde kalmaktadır. Minimum 150 DC current gain (hFE) ile uygulanabilir olan NTE2699, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, güç anahtarlama uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde yaygın olarak kullanılmaktadır. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 15 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 150 @ 3A, 2V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-220-3
Part Status Active
Power - Max 2 W
Supplier Device Package TO-220
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 600mA, 12A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok