Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NTE25
TRANS PNP 80V 1A TO237
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-237AA
- Seri / Aile Numarası
- NTE25
NTE25 Hakkında
NTE25, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-237AA paket tipi ile gelen bu transistör, 80V maksimum kollektör-emitör gerilimi ve 1A maksimum kollektör akımı kapasitesine sahiptir. 850mW güç tüketimi sınırı ile düşük sinyal uygulamalarında, audio amplifikatörlerinde, anahtar devrelerinde ve genel sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 50MHz transition frequency ile orta hızlı komütasyon işlemleri için uygun özelliklere sahiptir. DC gain minimum 40 @ 250mA, 2V koşullarında sağlanır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Through-hole montaj tipi ile geleneksel baskı devresi tasarımlarında kolayca kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 250mA, 2V |
| Frequency - Transition | 50MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-237AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 850 mW |
| Supplier Device Package | TO-237 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok