Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NTE2367

T-NPN SI DIGITAL 4.7K

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
NTE2367

NTE2367 Hakkında

NTE2367, NTE Electronics tarafından üretilen ön beslemeli NPN silikon dijital transistördür. 4.7kΩ baz ve emitter-baz direnç değerlerine sahip bu transistör, maksimum 100mA kolektör akımı ve 250MHz transition frekansı ile çalışır. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 300mW maksimum güç kapasitesi ile AC/DC anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve lojik devre uygulamalarında kullanılır. TO-92 kısa gövde paketi ile Through Hole montajına uygun olan NTE2367, endüstriyel kontrol sistemleri, aydınlatma uygulamaları ve consumer elektronik cihazlarda yaygın olarak tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 4.7 kOhms
Supplier Device Package TO-92S
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok