Transistörler - Bipolar (BJT) - Ön Beslemeli Tekil

NTE2355

T-NPN SI W/10K RESISTOR

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
NTE2355

NTE2355 Hakkında

NTE2355, entegre 10 kOhm baz ve emitter dirençli ön beslemeli NPN silikon transistördür. TO-92 paketinde sunulan bu bileşen, 100 mA maksimum collector akımı ve 250 MHz transition frekansı ile çalışır. 50V breakdown voltajına sahiptir. Entegre dirençler sayesinde harici biyaslandırma dirençlerine ihtiyaç duymaz, bu da devre tasarımını basitleştirir. Dijital lojik uygulamaları, anahtarlama devreleri, sinyal amplifikasyon ve genel amaçlı BJT uygulamalarında kullanılır. 300 mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi vardır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 250 MHz
Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Part Status Active
Power - Max 300 mW
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Supplier Device Package TO-92S
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok