Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NTE199
NPN SI LOW NOISE HIGH GAIN TO-92
- Üretici
- Galco Industrial Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- NTE199
NTE199 Hakkında
NTE199, Silicon NPN BJT transistördür ve düşük gürültü uygulamaları için tasarlanmıştır. 400 minimum DC kazancı (hFE) ile sinyal güçlendirme ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 100 mA maksimum kolektör akımı ve 50 V maksimum Vce dağılımı ile radyo frekans ön uçları, ses frekans amplifikatörleri, hassas ölçüm aletleri ve düşük gürültü sinyal işleme uygulamalarında uygundur. -55°C ile 125°C arasında çalışır, TO-92 paketinde sunulur ve düşük maliyetli genel amaçlı BJT transistör çözümü sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 30nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 2mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 125°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 360 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 125mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok