Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE199

TRANS NPN 50V 100MA TO92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
NTE199

NTE199 Hakkında

NTE199, NTE Electronics tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V kollektör-emitter gerilimi ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilir. 360mW maksimum güç tüketimine sahiptir ve geniş sıcaklık aralığında (-55°C ile 125°C arası) stabil performans sağlar. DC akım kazancı (hFE) tipik 2mA akım ve 5V gerilimde 400'dür. Doyum gerilimi 125mV'ta ölçülmektedir. Genel amaçlı anahtarlama ve düşük sinyal amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimlenebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 100 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 30nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 400 @ 2mA, 5V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 360 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 125mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok