Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NTE16007
TRANS NPN 55V 3A TO8
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-233AA
- Seri / Aile Numarası
- NTE16007
NTE16007 Hakkında
NTE16007, NTE Electronics tarafından üretilen TO-8 metal kaplı NPN bipolar junction transistördür (BJT). 55V kollektör-emitter gerilimi, 3A maksimum kollektör akımı ve 25W güç disipasyonu kapasitesiyle tasarlanmıştır. -65°C ile +200°C geniş çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. 750mV doyum gerilimi ve minimum 35 DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında yer alır. Orta güç RF amplifikatörleri, anahtarlama devreler ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılan endüstriyel standart bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 15µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 750mA, 4V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C |
| Package / Case | TO-233AA, TO-8-3 Metal Can |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 25 W |
| Supplier Device Package | TO-8 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 40mA, 750mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 55 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok