Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
NTE16003
T-NPN SI RF PO=7.5 WATTS
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- Stud
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- NTE16003
NTE16003 Hakkında
NTE16003, NTE Electronics tarafından üretilen NPN tipi silisyum RF transistörüdür. TO-60 stud mount paketlemesinde sunulan bu komponent, radyo frekansı uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 500MHz geçiş frekansı ve 11.6W maksimum güç derecelendirmesi ile orta güç RF amplifikatör ve anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 40V maksimum collector-emitter kırılma gerilimi ve 1.5A maksimum collector akımı ile sınırlı bir çalışma alanına sahiptir. Geniş sıcaklık aralığında (-65°C ile 200°C arasında) işletilmesi mümkündür. Kurumsal haberleşme, endüstriyel kontrol ve tüketici RF devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
| Frequency - Transition | 500MHz |
| Mounting Type | Stud Mount |
| Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Package / Case | TO-212MA, TO-210AB, TO-60-4, Stud |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 11.6W |
| Supplier Device Package | TO-60 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok