Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE159MCP

TRANS PNP 80V 800MA TO92

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
NTE159

NTE159MCP Hakkında

NTE159MCP, NTE Electronics tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-92 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 800mA kolektor akımı ve 80V breakdown voltajı ile çalışır. 250MHz transition frequency ve 625mW maksimum güç derecelendirmesi ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarına uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışır. Kolektor akımı 10mA ve 10V Vce'de minimum 50 hFE kazancı sağlar. Vce doyum voltajı 500mA akımda 500mV olup, düşük hızlı dijital devre tasarımı, ses amplifikatörleri, kontrol devreleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition 250MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok