Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE159M

TRANS PNP 60V 600MA TO18

Paket/Kılıf
TO-18-2
Seri / Aile Numarası
NTE159M

NTE159M Hakkında

NTE159M, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup TO-18 metal kutu paketinde sunulmaktadır. 60V kollektör-emitter kırılma voltajı ve 600mA maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 200MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 1.8W maksimum güç dağıtımı kapasitesi bulunan bu bileşen, -65°C ile +200°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar. Ses amplifikatörleri, sinyal kuvvetlendiriciler ve TTL uyumlu arayüz devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 600 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition 200MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -65°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Part Status Active
Power - Max 1.8 W
Supplier Device Package TO-18
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok