Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

NTE159-5

TRANS PNP 80V 800MA TO92 5PK

Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
NTE159

NTE159-5 Hakkında

NTE159-5, NTE Electronics tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Through Hole montaj için TO-92 paketinde sunulmaktadır. Maksimum kollektör akımı 800 mA, maksimum güç tüketimi 625 mW ve maksimum kolektor-emiter gerilimi 80 V olan bu transistör, düşük sinyali yükseltmek ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Minimum DC akım kazancı (hFE) 10 mA ve 10 V koşullarında 50'dir. Satürasyon durumunda 50 mA taban akımı ve 500 mA kollektör akımı altında 500 mV gerilim düşüşü gösterir. Ses amplifikatörleri, sinyal işleme devreleri ve aydınlatma kontrolü gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. Paket 5'li olarak sunulmaktadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 800 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 10mA, 10V
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status Active
Power - Max 625 mW
Supplier Device Package TO-92
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok