Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
NTE159-10
TRANS PNP 80V 800MA TO92 10PK
- Üretici
- NTE Electronics, Inc.
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- NTE159
NTE159-10 Hakkında
NTE159-10, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92 standart pakette sunulmaktadır. 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 800mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. 625mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve geniş -55°C ~ 150°C çalışma sıcaklık aralığı ile çeşitli ortamlarda güvenilir çalışma sağlar. Vce saturation voltajı 500mV @ 50mA, 500mA ve minimum DC current gain 50 @ 10mA, 10V olarak belirlenmiştir. Through-hole montaj türüne sahip olan bu transistör, konvansiyonel PCB tasarımlarında ses amplifikasyonu, anahtarlama devreleri, düşük frekans sinyal işleme ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 10V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 625 mW |
| Supplier Device Package | TO-92 |
| Transistor Type | PNP |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok